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J-GLOBAL ID：200902153316434420   Reference number：01A0835833

Temperature and gate voltage dependent transport across a single organic semiconductor grain boundary.

単一の有機半導体粒界をよぎり温度とゲート電圧に依存する輸送

Author (2)： CHWANG A B (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  FRISBIE C D (Univ. Minnesota, Minnesota)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 90  Issue： 3  Page： 1342-1349  Publication year： Aug. 01, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *grain boundary ,...
Semi thesaurus term： trap(solid)

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JST classification (2)： Electric conduction in organic compounds  (BM03045F) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Substance index (1)： α-Sexithiophene

Terms in the title (4)： 有機半導体 ,  粒界 ,  ゲート電圧 ,  輸送