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J-GLOBAL ID：200902153410225126   Reference number：00A0420748

Electric-field-induced combination of Wannier-Stark localization and type-I-type-II crossover in a marginal type-I GaAs/AlAs superlattice.

ぎりぎり第1種のGaAs/AlAs超格子におけるWannier-Stark局在の電場に誘起された結合及び第1種-第2種クロスオーバ

Author (7)： OHTANI N (ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN) ,  DOMOTO C (ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN) ,  EGAMI N (ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN) ,  MIMURA H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ANDO M (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA M (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  HOSODA M (ATR Optical and Radio Communications Res. Lab., Kyoto, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 61  Issue： 11  Page： 7505-7510  Publication year： Mar. 15, 2000 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum arsenide ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： GaAs ,  AlAs ,  超格子 ,  電場 ,  誘起 ,  クロスオーバ