Art

J-GLOBAL ID：200902153478993423   Reference number：98A0349008

The activation of Mg in GaN by annealing with minority-carrier injection.

小数キャリヤ注入をしながらのアニーリングによるGaN中のMgの活性化

Author (4)： MIYACHI M (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  TANAKA T (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  KIMURA Y (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN) ,  OTA H (Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 72  Issue： 9  Page： 1101-1103  Publication year： Mar. 02, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0349008&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： キャリヤ ,  注入 ,  アニーリング ,  GaN ,  Mg ,  活性化