Art

J-GLOBAL ID：200902153556585540   Reference number：94A0940351

Size effects of resist polymers on nanometer lithography.

ナノメーターリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果

Author (5)： YOSHIMURA TOSHIYUKI (日立 中研) ,  SCHECKLER E W (日立 中研) ,  OGAWA TARO (日立 中研) ,  SHUKURI SHOJI (日立 中研) ,  SHIRAISHI HIROSHI (日立 中研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 63  Issue： 11  Page： 1131-1134  Publication year： Nov. 1994 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： surface roughness ,...
Semi thesaurus term： HIACINTH【コード】

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Radiation polymer chemistry  (CG03050S)

Reference (18)：

• 1) 例えば,岡崎信次:応用物理 60, 1076 (1991).
• 2) 例えば, M. Reed and W. P. Kirk, ed.: Nanostructure Physics and Fabrication (Academic Press, Boston, 1989).
• 3) H. Liu, M. P. deGrandpre and W. E. Feely: J. Vac. Sci. & Technol. B 6, 379 (1988).
• 4) T. Yoshimura, Y. Nakayama and S. Okazaki: J. Vac. Sci. & Technol. B 10, 2615 (1992).
• 5) T. Yoshimura, H. Shiraishi, J. Yamamoto and S. Okazaki: Appl. Phys. Lett. 63, 764 (1993).

Terms in the title (3)： レジスト ,  高分子 ,  サイズ効果