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J-GLOBAL ID：200902154204667127   Reference number：96A0165734

Molecular beam epitaxial growth of InSb, GaSb, and AlSb nanometer-scale dots on GaAs.

GaAs上のInSb,GaSb及びAlSbのナメータスケールのドットの分子ビームエピタキシャル成長

Author (3)： BENNETT B R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  MAGNO R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  SHANABROOK B V (Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 4  Page： 505-507  Publication year： Jan. 22, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaAs ,  InSb ,  GaSb ,  ドット ,  分子ビームエピタキシャル成長