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J-GLOBAL ID：200902154816148331   Reference number：00A0150646

Designing atomic structure and stability of the contact materials-Microscopic understanding and effective prediction of the atomic structure, stability, and Schottky barrier.

半導体材料・プロセスの物理と設計 電極の界面構造・安定性の設計 電極の界面構造,安定性,ショットキー障壁の原子レベルでの理解と実効的予測

Author (2)： SUGINO OSAMU (NEC 基礎研) ,  YU B D (NEC 基礎研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 68  Issue： 12  Page： 1397-1400  Publication year： Dec. 10, 1999 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor material ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Reference (18)：

• 浜口智尋. 半導体デバイスの物理. 1990
• BARDEEN, J. Phys.Rev. 1947, 71, 717
• TUNG, R. T. J.Vac.Sci.Technol. 1993, B11, 1546
• TERSOFF, J. Phys.Rev.Lett. 1984, 52, 465
• TUNG, R. T. Phys.Rev.Lett. 1984, 52, 462

Terms in the title (10)： 半導体材料 ,  プロセス ,  物理 ,  設計 ,  界面構造 ,  安定性 ,  ショットキー障壁 ,  原子 ,  理解 ,  予測