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J-GLOBAL ID：200902155033794830   Reference number：99A0755046

Nonvolatile ferroelectric-gate field-effect transistors using SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si structures.

SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si構造を使った不揮発性強誘電体ゲート電界効果トランジスタ

Author (3)： TOKUMITSU E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FUJII G (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 4  Page： 575-577  Publication year： Jul. 26, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Platinum ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： Pt ,  SiON ,  Si ,  不揮発性 ,  強誘電体ゲート電界効果トランジスタ