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J-GLOBAL ID：200902155080504905   Reference number：01A0326737

Submilliwatt operation of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode using short-period alloy superlattice.

短周期の合金超格子を用いたAlGaNに基づいた紫外発光ダイオードのサブミリワット動作

Author (3)： NISHIDA T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa Pref., JPN) ,  SAITO H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa Pref., JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa Pref., JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 4  Page： 399-400  Publication year： Jan. 22, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium compound ,...

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JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 短周期 ,  合金 ,  超格子 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード