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J-GLOBAL ID：200902155131914372   Reference number：96A0457915

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Nitrogen-Doped ZnSe/GaAs(100) by Alternate Growth and Plasma Doping.

成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)

Author (3)： MORIMOTO KEIZO (大阪府大 先端科研) ,  KAWAMURA YUICHI (大阪府大 先端科研) ,  INOUE NAOHISA (大阪府大 先端科研)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 17  Issue： 5  Page： 276-281  Publication year： May. 1996 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (17)：

• 1) K. Ohkawa, T. Karasawa and T. Mitsuyu: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L152 (1991).
• 2) R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. Depuydt and M. A. Haase: Appl. Phys. Lett. 57, 2127 (1990).
• 3) M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt and H. Cheng: Appl. Phys. Lett. 59,1272 (1991).
• 4) H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi and R. L. Gunshor: Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
• 5) H. Okuyama, K. Nakao, T. Miyajima, and K. Akimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1620 (1991).

Terms in the title (6)： 成長 ,  プラズマドーピング ,  有機金属気相成長法 ,  作製 ,  ZnSe ,  GaAs