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J-GLOBAL ID：200902155155718604   Reference number：98A0108180

Homoepitaxial growth of GaN under Ga-stable and N-stable conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

プラズマ支援分子線エピタクシーによるGa安定とN安定条件下におけるGaNのホモエピタキシャル成長

Author (6)： TARSA E J (Univ. California, California) ,  HEYING B (Univ. California, California) ,  WU X H (Univ. California, California) ,  FINI P (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 82  Issue： 11  Page： 5472-5479  Publication year： Dec. 01, 1997 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタクシー ,  Ga ,  安定条件 ,  GaN ,  ホモ ,  エピタキシャル成長