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J-GLOBAL ID：200902155588419083   Reference number：03A0085592

Ultrathin Regioregular Poly(3-hexyl thiophene) Field-Effect Transistors.

位置規則的ポリ(3-ヘキシルチオフェン)からなる超薄膜電界効果トランジスタ

Author (7)： SANDBERG H G O (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  FREY G L (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SHKUNOV M N (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SIRRINGHAUS H (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  FRIEND R H (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  NIELSEN M M (Riso National Lab., DNK) ,  KUMPF C (Riso National Lab., DNK)
Material： Langmuir  (ACS Journal of Fundamental Interfaces Science)
Volume： 18  Issue： 26  Page： 10176-10182  Publication year： Dec. 24, 2002 
JST Material Number： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： field effect transistor ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Solid-liquid interface  (CB12050B) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (1)： 3-Hexylthiophene

Terms in the title (4)： 規則 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  超薄膜 ,  電界効果トランジスタ