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J-GLOBAL ID：200902155739244728   Reference number：99A0420144

A Folded-channel MOSFET for Deep-sub-tenth Micron Era.

ディープ・サブ0.1μm時代の折重ねチャネルMOSFET

Author (9)： HISAMOTO D (Hitachi Ltd.) ,  LEE W-C (UC Berkeley) ,  KEDZIERSKI J (UC Berkeley) ,  ANDERSON E (Lawrence Berkeley Lab.) ,  TAKEUCHI H (Nippon Steel Corp.) ,  ASANO K (NKK Corp.) ,  KING T-J (UC Berkeley) ,  BOKOR J (UC Berkeley) ,  HU C (UC Berkeley)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1998  Page： 1032-1034  Publication year： 1998 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： ディープサブミクロン ,...

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JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (3)： 折重ね ,  チャネル ,  MOSFET