Art

J-GLOBAL ID：200902155767818721   Reference number：97A0788911

High transconductance AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors on SiC substrates.

SiC基板上の高相互コンダクタンスAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

Author (5)： CHEN Q (APA Optics Inc., MN, USA) ,  YANG J W (APA Optics Inc., MN, USA) ,  KAHN M A (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  PING A T (Univ. Illinois, IL, USA) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois, IL, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 33  Issue： 16  Page： 1413-1415  Publication year： Jul. 31, 1997 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0788911&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： SiC基板 ,  相互コンダクタンス ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ