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J-GLOBAL ID：200902156002301581   Reference number：00A0100232

High Channel Mobility in Inversion Layers of 4H-SiC MOSFET’s by Utilizing (11-20) Face.

(11-20)面を用いた4H-SiCのMOSFETの反転層中での高チャネル移動度

Author (6)： YANO H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRAO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ASANO K (Kansai Electric Power Co., Hyogo, JPN) ,  SUGAWARA Y (Kansai Electric Power Co., Hyogo, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 20  Issue： 12  Page： 611-613  Publication year： Dec. 1999 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 4H-SiC

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 4H-SiC ,  MOSFET ,  反転層 ,  チャネル移動度