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J-GLOBAL ID：200902156259485667   Reference number：97A0067462

Recombination-enhanced Fe atom jump between the first and the second neighbor site of Fe-acceptor pair in Si.

Si中のFeアクセプタ対における第一および第二近接サイト間の再結合増速Fe原子ジャンプ

Author (4)： SAKAUCHI S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEZAWA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUMINO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKASHIMA H (Kyushu Univ., Kasuga, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 80  Issue： 11  Page： 6198-6203  Publication year： Dec. 01, 1996 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： Si ,  Fe ,  アクセプタ ,  再結合 ,  増速 ,  原子 ,  ジャンプ