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J-GLOBAL ID：200902156340951516   Reference number：97A0015481

Volatile and Non-Volatile Memories in Silicon with Nano-Crystal Storage.

ナノ結晶記憶を使ったシリコンにおける揮発性と不揮発性メモリ

Author (6)： TIWARI S (IBM Res. Div., NY) ,  RANA F (IBM Res. Div., NY) ,  CHAN K (IBM Res. Div., NY) ,  HANAFI H (IBM Res. Div., NY) ,  CHAN W (IBM Res. Div., NY) ,  BUCHANAN D (IBM Res. Div., NY)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1995  Page： 521-524  Publication year： 1995 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nanostructure ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Other solid-state devices  (NC03150A)

Terms in the title (4)： ナノ結晶 ,  シリコン ,  揮発性 ,  不揮発性メモリ