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J-GLOBAL ID：200902156547333901   Reference number：00A0633950

Nitridation effects of GaP(111)B substrate on MOCVD growth of InN.

InNのMOCVD成長に対するGaP(111)B基板の窒化効果

Author (4)： BHUIYAN A G (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  HASHIMOTO A (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO A (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  ISHIGAMI R (Wakasa Wan Energy Res. Center, Fukui, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 212  Issue： 3/4  Page： 379-384  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： InN ,  MOCVD ,  成長 ,  GAP ,  窒化