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J-GLOBAL ID：200902156555447860   Reference number：00A0852993

Room-temperature operation at 333 nm of Al_0.03Ga_0.97N/Al_0.25Ga_0.75N quantum-well light-emitting diodes with Mg-doped superlattice layers.

Mgドープ超格子層を用いたAl_0.03Ga_0.97N/Al_0.25Ga_0.75N量子井戸発光ダイオードの333nmでの室温動作

Author (5)： KINOSHITA A (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN) ,  HIRAYAMA H (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN) ,  AINOYA M (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN) ,  AOYAGI Y (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN) ,  HIRATA A (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 2  Page： 175-177  Publication year： Jul. 10, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： Mg ,  ドープ ,  超格子 ,  量子井戸 ,  発光ダイオード ,  室温