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J-GLOBAL ID：200902156736117276   Reference number：02A0616922

A New Photoresist Material for 157 nm Lithography-2.

157nmリソグラフィー用の新しいフォトレジスト材料 II

Author (7)： FUJIGAYA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ANDO S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIBASAKI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KISHIMURA S (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  ENDO M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  SASAGO M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  UEDA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Photopolymer Science and Technology  (フォトポリマー懇話会誌)
Volume： 15  Issue： 4  Page： 643-654  Publication year： 2002 
JST Material Number： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vacuum ultraviolet radiation ,...
Semi thesaurus term： triflate ,...

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Copolymerization  (CG04030D) ,  Aliphatic sulfonic acid,sulfinic acid,sulfenic acid and other compounds  (CF03160J)

Substance index (3)： α,α-Bis(trifluoromethyl)-4-ethenylbenzyl alcohol ,  Ethenesulfonic acid 2,2,2-trifluoroethyl ester ,  Ethenesulfonic acid 1-(trifluoromethyl)-2,2,2-trifluoroethyl ester

Reference (15)：

• 1). T. Fujigaya, Y. Shibasaki, M. Ueda, S. Kishimura, M, Endo, M. Sasago, Polym. Mater. Sc. Eng. ACS., 2002, 86 (1), 148.
• 2). S. Ando, T. Fujigaya, M. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 2002, 41, 2A, L105.
• 3). a) T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, R. Sinta, M. Sworin, W. A. Mowers, R. B. Goodman, S. P. Doran, Proc. SPIE., 2001, 4345, 296. b) T. H. Fedynyshyn, R. R. Kunz, R. Sinta, R. B. Goodman, S. P. Doran, J. Vac. Sci. Technol., 2000, B, 18, 3332.
• 4). Goldberg, A.A, J. Chem. Soc., 1945, 464.
• 5). a) E. M. Pearce, T. K. Kwei, B. Y. Min, J. Macromol. Sci. Chem., 1984, A21 (8&9), 1181. b) R. Miethchen, D. Rentsch, N. Stoll, Tetrahedron, 1992, 48, 39, 8393.

Terms in the title (3)： リソグラフィー ,  フォト ,  レジスト材料