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J-GLOBAL ID：200902157110249533   Reference number：99A0141600

To Realize the Perfect Crystallization. Recent Developments in InP Crystal Growth.

結晶の完全性を目指して 最近のInPの開発動向

Author (6)： ASAHI TOSHIAKI (ジャパンエナジー 中研) ,  HIRANO RYUICHI (ジャパンエナジー) ,  KOHIRO KENJI (ジャパンエナジー 中研) ,  KAINOSHO KEIJI (ジャパンエナジー 中研) ,  UCHIDA MASAYUKI (ジャパンエナジー 中研) ,  ODA OSAMU (ジャパンエナジー 中研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 25  Issue： 5  Page： 220-228  Publication year： 1998 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Czochralski method ,...
Semi thesaurus term： semi-insulating

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (52)：

• 1) LILE D. Proc. 10th Int. Conf. InP and Related Materials. (1998) vol.6,
• 2) KOBAYASHI K. Proc. 10th Int. Conf. InP and Related Materials. (1998) vol.14,
• 3) YOSHIKUNI Y. Proc. 10th Int. Conf. InP and Related Materials. (1998) vol.18,
• 4) TATSUMI M. Proc. First Int. Conf. InP and Related Materials. (1989) vol.18,
• 5) ELLIOTT J. Proc. 9th Int. Conf. InP and Related Materials. (1997) vol.501,

Terms in the title (4)： 結晶 ,  完全性 ,  InP ,  開発動向