Art

J-GLOBAL ID：200902157611469177   Reference number：96A0764343

Incoherent interface of InAs grown directly on GaP(001).

GaP(001)上に直接成長させたInAsのインコヒーレント界面

Author (3)： CHANG J C P (Purdue Univ., Indiana) ,  CHIN T P (Purdue Univ., Indiana) ,  WOODALL J M (Purdue Univ., Indiana)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 7  Page： 981-983  Publication year： Aug. 12, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium phosphide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： GAP ,  成長 ,  InAs ,  界面