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J-GLOBAL ID：200902157899336745   Reference number：02A0610153

Effects of film morphology and gate dielectric surface preparation on the electrical characteristics of organic-vapor-phase-deposited pentacene thin-film transistors.

薄膜形態と誘電体ゲート表面の生成方法が,ペンタセンを有機気相蒸着した薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす影響

Author (4)： SHTEIN M (Princeton Univ., New Jersey) ,  MAPEL J (Princeton Univ., New Jersey) ,  BENZIGER J B (Princeton Univ., New Jersey) ,  FORREST S R (Princeton Univ., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 2  Page： 268-270  Publication year： Jul. 08, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gate (semiconductor) ,...

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JST classification (2)： Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (2)： Pentacene ,  Octadecyltrichlorosilane

Terms in the title (8)： 薄膜 ,  形態 ,  誘電体 ,  ゲート ,  ペンタセン ,  気相蒸着 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性