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J-GLOBAL ID：200902157913625429
Reference number：99A0547865
MBE,MOVPE成長法によるInAs/GaAs量子ドットの形状異方性と偏光特性
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Author (4)：
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Material：
Volume：
46th
Issue：
3
Page：
1455
Publication year：
Mar. 28, 1999
JST Material Number：
Y0054A
Document type：
Proceedings
Country of issue：
Japan (JPN)
Language：
JAPANESE (JA)
Terms in the title (8)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
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