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J-GLOBAL ID：200902158301135526   Reference number：93A0629807

Growth of stable dislocation-free 3-grain silicon ingots for thinner slicing.

より薄いスライシング用としての安定な転位のない3結晶粒シリコンインゴットの成長

Author (2)： MARTINELLI G (Univ. Ferrara, Ferrara, ITA) ,  KIBIZOV R (Research Lab. Chemical-Metallurgical Factory, Podolsk, SUN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 62  Issue： 25  Page： 3262-3263  Publication year： Jun. 21, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Czochralski method ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： スライシング ,  転位 ,  結晶粒 ,  シリコン ,  インゴット ,  成長