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J-GLOBAL ID：200902158369396484   Reference number：94A0522337

Nature of strained InAs three-dimensional island formation and distribution on GaAs(100).

GaAs(100)上の歪んだInAsの3次元の島形成と分布の特性

Author (4)： MADHUKAR A (Univ. Southern California, California) ,  XIE Q (Univ. Southern California, California) ,  CHEN P (Univ. Southern California, California) ,  KONKAR A (Univ. Southern California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 64  Issue： 20  Page： 2727-2729  Publication year： May. 16, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium arsenide ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaAs ,  InAs ,  3次元 ,  島 ,  分布