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J-GLOBAL ID：200902158578287714   Reference number：99A0892752

A surfactant-mediated relaxed Si_0.5Ge_0.5 graded layer with a very low threading dislocation density and smooth surface.

非常に低い貫通転位密度および滑らかな表面を持つ表面活性剤媒介による緩和したSi_0.5Ge_0.5傾斜層

Author (9)： LIU J L (Univ. California at Los Angeles, California) ,  MOORE C D (Univ. California at Los Angeles, California) ,  U'REN G D (Univ. California at Los Angeles, California) ,  LUO Y H (Univ. California at Los Angeles, California) ,  LU Y (Univ. California at Los Angeles, California) ,  JIN G (Univ. California at Los Angeles, California) ,  THOMAS S G (Univ. California at Los Angeles, California) ,  GOORSKY M S (Univ. California at Los Angeles, California) ,  WANG K L (Univ. California at Los Angeles, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 11  Page： 1586-1588  Publication year： Sep. 13, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dislocation density ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 貫通転位密度 ,  表面活性剤 ,  緩和 ,  傾斜層