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J-GLOBAL ID：200902159087468454   Reference number：01A0835729

Efficient and high-power AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode grown on bulk GaN.

バルクGaN上に成長させた高効率,高出力AlGaNベースの紫外発光ダイオード

Author (3)： NISHIDA T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SAITO H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 6  Page： 711-712  Publication year： Aug. 06, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (7)： バルク ,  GaN ,  成長 ,  高効率 ,  高出力 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード