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J-GLOBAL ID：200902159094641960   Reference number：02A0225968

Photoluminescence dependence on heterointerface for metalorganic chemical vapor deposition grown GaInNAs/GaAs quantum wells.

有機金属化学蒸着成長GaInNAs/GaAs量子井戸のためのヘテロ界面に対する光ルミネセンスの依存性

Author (6)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 6  Page： 962-964  Publication year： Feb. 11, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  ヘテロ界面 ,  光ルミネセンス ,  依存性