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J-GLOBAL ID：200902159263480458   Reference number：99A0854035

Characterization of polysilicon gate etch with ultra thin gate oxide (<35Å) in a decoupled plasma source etcher.

分解プラズマ源エッチャでの超薄ゲート酸化物(<35Å)を持つポリシリコンゲートエッチの特性評価

Author (6)： LII T (Motorola, TX) ,  PARK E (Motorola, TX) ,  LUTZ J (Motorola, TX) ,  WU W (Motorola, TX) ,  SIMPSON L (Applied Materials, CA) ,  MUI D (Applied Materials, CA)
Material： Proceedings of the Symposium on Thin Film Materials, Processes, Reliability, and Applications: Thin Film Processes, 1997  (Proc Symp Thin Film Mater Proc Reliab Appl Thin Film Process 1997)
Page： 79-84  Publication year： 1998 
JST Material Number： K19990322  ISBN： 1-56677-183-8  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 分解 ,  プラズマ源 ,  ゲート酸化物 ,  特性評価