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J-GLOBAL ID：200902159529367040   Reference number：97A0945303

Nanoscale silicon field effect transistors fabricated using imprint lithography.

インプリントリソグラフィーを使って作製したナノスケールシリコン電界トランジスタ

Author (3)： GUO L (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  KRAUSS P R (Univ. Minnesota, Minnesota) ,  CHOU S Y (Univ. Minnesota, Minnesota)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 13  Page： 1881-1883  Publication year： Sep. 29, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： インプリントリソグラフィー ,  作製 ,  電界 ,  トランジスタ