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J-GLOBAL ID：200902159556096415   Reference number：98A0740985

Selective Area Growth of GaN Using Tungsten Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

タングステンのマスクを使う有機金属気相エピタクシーによるGaNの選択領域成長

Author (9)： KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  NAMBU S (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SONE H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SHIBATA T (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MATSUSHIMA H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 7B  Page： L845-L848  Publication year： Jul. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： mask ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (16)：

• 1) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 2) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Splinger-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1997).
• 3) Y. -F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 438.
• 4) Y. -F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50.
• 5) C. O. Bozler and G. D. Alley: IEEE Trans. Electron Devices ED-27 (1980) 1128.

Terms in the title (5)： タングステン ,  マスク ,  有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  領域成長