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J-GLOBAL ID：200902159705920843   Reference number：01A1028391

Surface Passivation Effect of Silicon Substrates due to Quinhydrone/Ethanol Treatment.

キンヒドロン/エタノール処理によるシリコン基板の表面不動態化効果

Author (3)： TAKATO H (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKATA I (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol., Ibaraki, JPN) ,  SHIMOKAWA R (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 10A  Page： L1003-L1004  Publication year： Oct. 01, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface treatment ,...
Semi thesaurus term： recombination velocity

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Techniques for samples  (BA02070O)

Substance index (2)： Quinhydrone ,  Ethanol

Reference (7)：

• 1) A. W. Stephens, A. G. Aberle and M. A. Green: J. Appl. Phys. 76 (1994) 363.
• 2) T. Lauinger, J. Schmidt, A. G. Aberle and R. Hezel: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1232.
• 3) E. Yablonovitch and T. Gmitter: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 587.
• 4) K. L. Luke and L. J. Cheng: J. Electrochem. Soc. 135 (1988) 957.
• 5) T. S. Horanyi, T. Pavelka and P. Tutto: Appl. Surf. Sci. 63 (1993) 306.

Terms in the title (4)： キンヒドロン ,  エタノール ,  シリコン基板 ,  表面不動態化