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J-GLOBAL ID：200902159769782657   Reference number：01A0523889

The Impact of Surface States on the DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HFETs.

AlGaN/GaN HFETのDCおよびRF特性に対する表面状態の影響

Author (4)： VETURY R (Univ. California, CA, USA) ,  ZHANG N Q (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 3  Page： 560-566  Publication year： Mar. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： HFET ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  DC ,  RF