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J-GLOBAL ID：200902160053359115   Reference number：95A0588113

Island formation during growth of Ge on Si(100): A study using photoluminescence spectroscopy.

Si(100)上のGeの成長中の島状構造形成 光ルミネセンス分光法を用いた研究

Author (4)： SUNAMURA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  USAMI N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUKATSU S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 22  Page： 3024-3026  Publication year： May. 29, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Germanium ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： Si ,  Ge ,  成長 ,  島状構造 ,  光ルミネセンス ,  分光法 ,  研究