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J-GLOBAL ID：200902161532994409   Reference number：96A0532075

Activation energies of Si donors in GaN.

GaN中のSiドナーの活性化エネルギー

Author (6)： GOETZ W (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JOHNSON N M (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  CHEN C (Hewlett Packard Co., California) ,  LIU H (Hewlett Packard Co., California) ,  KUO C (Hewlett Packard Co., California) ,  IMLER W (Hewlett Packard Co., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 22  Page： 3144-3146  Publication year： May. 27, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (4)： GaN ,  Si ,  ドナー ,  活性化エネルギー