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J-GLOBAL ID：200902161744736221   Reference number：01A0493969

Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide.

一酸化窒素中の高温アニールによる4H-SiC MOSFET反転チャネル移動度の改善

Author (9)： CHUNG G Y (Auburn Univ., AL, USA) ,  TIN C C (Auburn Univ., AL, USA) ,  MCDONALD K (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  CHANANA R K (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WELLER R A (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  PANTELIDES S T (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  HOLLAND O W (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  DAS M K (Cree Res., Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J W (Cree Res., Inc., NC, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 4  Page： 176-178  Publication year： Apr. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitrogen monoxide ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 一酸化窒素 ,  アニール ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  反転 ,  チャネル移動度