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J-GLOBAL ID：200902161930487258   Reference number：01A0458389

Electrical and Reliability Characteristics of an Ultrathin TaO_xN_y Gate Dielectric Prepared by ND₃ Annealing of Ta₂O₅.

Ta₂O₅のND₃アニールによって調製した超薄TaO_xN_yゲート誘電体の電気特性および信頼性特性

Author (4)： JUNG H (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  IM K (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  YANG D (Jusung Engineering, Kyunggi, KOR) ,  HWANG H (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 21  Issue： 12  Page： 563-565  Publication year： Dec. 2000 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...
Semi thesaurus term： 破壊電荷

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (7)： Ta2O5 ,  アニール ,  調製 ,  ゲート誘電体 ,  電気特性 ,  信頼 ,  性特性