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J-GLOBAL ID：200902162082505450   Reference number：02A0808625

Finite Difference Analysis of Radial Oxygen Distribution in Silicon Czochralski-grown Single Crystals to Obtain its Uniform Distribution.

Si引上単結晶酸素濃度分布のシミュレーション 半径方向酸素濃度分布の均一化

Author (6)： OMINAMI RYUJI (富士通ネットワークソルーションズ) ,  SUGAWARA KATSURO (日本大 工) ,  SUGINO YUJI (信越半導体) ,  FUJIOKA MASAKAZU (日立 機械研) ,  IGAI MITSUYOSHI (日立超LSIシステムズ) ,  HIRAYAMA HIROYUKI (日立超LSIシステムズ)
Material： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
Volume： 44  Issue： 1  Page： 139-150  Publication year： Sep. 25, 2002 
JST Material Number： G0810A  ISSN： 1343-2885  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Czochralski method ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： Si ,  引上 ,  単結晶 ,  酸素濃度 ,  分布 ,  シミュレーション ,  半径方向 ,  均一化