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J-GLOBAL ID：200902162367727936   Reference number：97A0868759

Quality-enhanced GaAs layers grown on Ge/Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition.

有機金属化学蒸着によるGe/Si基板上での質を高めたGaAs層の成長

Author (6)： KIM K S (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM J-H (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LIM D H (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  YANG G M (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM J Y (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LEE H J (Jeonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 179  Issue： 3/4  Page： 427-432  Publication year： Aug. 1997 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Germanium ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 有機金属化学蒸着 ,  Ge ,  Si基板 ,  質 ,  GaAs ,  成長