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J-GLOBAL ID：200902162380183724   Reference number：94A0156259

Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the (0001) basal plane.

SiC単結晶インゴットの(0001)基底面に垂直な面上での昇華成長

Author (3)： TAKAHASHI J (Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN) ,  KANAYA M (Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 135  Issue： 1/2  Page： 61-70  Publication year： Jan. 1994 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： SiC ,  単結晶インゴット ,  基底面 ,  昇華 ,  成長