Art

J-GLOBAL ID：200902163197140303   Reference number：98A0007162

Diamond Surface-Channel FET Structure with 200 V Breakdown Voltage.

破壊電圧が200Vのダイヤモンド表面チャネルFET構造

Author (5)： GLUCHE P (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  ALEKSOV A (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  VESCAN A (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  EBERT W (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  KOHN E (Univ. Ulm, Ulm, DEU)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 18  Issue： 11  Page： 547-549  Publication year： Nov. 1997 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 破壊電圧 ,  ダイヤモンド ,  チャネル ,  FET