Art

J-GLOBAL ID：200902163219538845   Reference number：94A0089297

Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces.

GaAs表面上のInGaAsの均一でコヒーレントな島からの量子サイズドットの直接形成

Author (5)： LEONARD D (Univ. California, California) ,  KRISHNAMURTHY M (Univ. California, California) ,  REAVES C M (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  PETROFF P M (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 63  Issue： 23  Page： 3203-3205  Publication year： Dec. 06, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0089297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： GaAs ,  InGaAs ,  コヒーレント ,  島 ,  量子 ,  サイズ ,  ドット