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J-GLOBAL ID：200902163314625909   Reference number：99A0998244

Lanthanum-substituted bismuth titanate for use in non-volatile memories.

不揮発性メモリ応用のためのランタン置換チタン酸ビスマス

Author (6)： PARK B H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG B S (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  BU S D (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  NOH T W (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J (Sung Kyun Kwan Univ., Suwon, KOR) ,  JO W (LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 401  Issue： 6754  Page： 682-684  Publication year： Oct. 14, 1999 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferroelectrics ,...
Semi thesaurus term： 強誘電体メモリ

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JST classification (1)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (5)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  ランタン ,  置換 ,  チタン酸ビスマス