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J-GLOBAL ID：200902163651777052   Reference number：01A0484943

Nonstationary Electron/Hole Transport in Sub-0.1μm MOS Devices: Correlation with Mobility and Low-Power CMOS Application.

サブ0.1μm MOS素子における非定常電子/正孔輸送 移動度との相関および低電力CMOS応用

Author (2)： OHBA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIZUNO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 2  Page： 338-343  Publication year： Feb. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： サブ ,  MOS素子 ,  非定常 ,  電子 ,  正孔輸送 ,  移動度 ,  相関 ,  低電力 ,  CMOS ,  応用