Art

J-GLOBAL ID：200902163942440454   Reference number：95A0035733

Direct observation of potential distribution across Si/Si p-n junctions using off-axis electron holography.

軸はずし電子ホログラフィーを用いたSi/Si p-n接合の電場分布の直接観察

Author (6)： MCCARTNEY M R (Arizona State Univ., Arizona) ,  SMITH D J (Arizona State Univ., Arizona) ,  HULL R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  BEAN J C (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  VOELKL E (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  FROST B (Oak Ridge National Lab., Tennessee)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 65  Issue： 20  Page： 2603-2605  Publication year： Nov. 14, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： PN junction ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Applications of electron beams and ion beams  (BD02070X)

Terms in the title (4)： 電子ホログラフィー ,  Si ,  p-n接合 ,  電場分布