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J-GLOBAL ID：200902163954425469   Reference number：02A0058595

Formation of Self-Assembled Nanocrystalline Silicon Dots by SiCl₄/H₂ RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition.

SiCl₄/H₂高周波プラズマエンハンス化学蒸着による自己集合ナノ結晶シリコンドットの形成

Author (3)： FUJIMURA Y (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  JUNG S (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SHIRAI H (Saitama Univ., Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 11B  Page： L1214-L1216  Publication year： Nov. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (11)：

• 1) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstern, E. F. Crabbe and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
• 2) A. Nakajima, T. Futasugi, K. Kosemura, T. Fukano and N. Yokoyama: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1742.
• 3) F. Yun, B. J. Hinds, S. Hatatani and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L792.
• 4) K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 452 (1997) 243.
• 5) M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki and M. Hirose: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2291.

Terms in the title (8)： SiCl4 ,  H2 ,  高周波プラズマ ,  エンハンス ,  化学蒸着 ,  自己集合 ,  ナノ結晶シリコン ,  ドット