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J-GLOBAL ID：200902164050999518   Reference number：93A0421123

Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN.

GaN単結晶を用いた金属-半導体型電界効果トランジスタ

Author (4)： KHAN M A (APA Optics Inc., Minnesota) ,  KUZNIA J N (APA Optics Inc., Minnesota) ,  BHATTARAI A R (APA Optics Inc., Minnesota) ,  OLSON D T (APA Optics Inc., Minnesota)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 62  Issue： 15  Page： 1786-1787  Publication year： Apr. 12, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： GaN ,  単結晶 ,  電界効果トランジスタ