Art

J-GLOBAL ID：200902164496542651   Reference number：01A0438594

Large terrace formation and modulated electronic states in (110)GaAs quantum wells.

(110)GaAs量子井戸における大きいテラス形成と変調電子状態

Author (5)： YOSHITA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KONDO N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKAKI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  BABA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 63  Issue： 7  Page： 075305.1-075305.9  Publication year： Feb. 15, 2001 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0438594&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： GaAs ,  量子井戸 ,  テラス ,  変調 ,  電子状態