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J-GLOBAL ID：200902165074835482   Reference number：96A0176614

High Performance 0.3μm CMOS using I-Line Lithography and BARC.

I-線リソグラフィーとBARCを用いた高性能0.3μmCMOS

Author (9)： THAKAR G V (Texas Instruments, TX, USA) ,  MADAN S K (Texas Instruments, TX, USA) ,  GARZA C M (Texas Instruments, TX, USA) ,  KRISA W L (Texas Instruments, TX, USA) ,  WISE J L (Texas Instruments, TX, USA) ,  LEE C K (Texas Instruments, TX, USA) ,  MCKEE J A (Texas Instruments, TX, USA) ,  APPEL A T (Texas Instruments, TX, USA) ,  CHAPMAN R A (Texas Instruments, TX, USA)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1995  Page： 75-76  Publication year： 1995 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： i-線 ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： リソグラフィー ,  高性能