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J-GLOBAL ID：200902165274736420   Reference number：99A0497008

Study on improvement on uniformity of Cat-CVD SiN_x thin films.

Cat-CVD SiN_x膜の面内均一性向上に関する検討

Author (4)： KUDO AKIYOSHI (北陸先端科学技術大学院大) ,  MASUDA ATSUSHI (北陸先端科学技術大学院大) ,  IZUMI AKIRA (北陸先端科学技術大学院大) ,  MATSUMURA HIDEKI (北陸先端科学技術大学院大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 99  Issue： 21(ED99 1-10)  Page： 59-66  Publication year： Apr. 22, 1999 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon nitride ,...
Semi thesaurus term： 触媒CVD

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (5)：

• 生駒俊明. ガリウムヒ素. 1988
• MATSUMURA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 3175
• OKADA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 7035
• HATTORI, R. Tech. Dig. 19th GaAa IC Symp., Anaheim, 1997. 1997, 78
• 伊藤隆司. VLSIの薄膜技術. 1986, 95

Terms in the title (2)： Cat-CVD ,  均一性